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IRF3710LPBF規(guī)格書詳情
VDSS = 100V
RDS(on) = 23m?
ID = 57A
描述 Description
Advanced HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF3710LPBF
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
TO262 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
9700 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | |||
IR |
15+ |
TO262 |
6450 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO262 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
210494 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-262-3 |
3410 |
詢價 | |||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-262 |
7828 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
TO262 |
115000 |
1000個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長 |
詢價 | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 |
