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IRF3575D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

IRF3575D

參數(shù)屬性

IRF3575D 封裝/外殼為32-PowerWFQFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

功能描述

60A 露頂集成功率塊單相同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有一對聯(lián)合封裝控制和同步 MOSFET。
MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

封裝外殼

32-PowerWFQFN

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-17 16:36:00

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IRF3575D規(guī)格書詳情

應(yīng)用 Application

? 臺(tái)式機(jī)和工作站
? 多相 PowIRstage
? 服務(wù)器和存儲(chǔ)

簡介

IRF3575D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由制造生產(chǎn)的IRF3575D晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :IRF3575D

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • Package?

    :PQFN 6 x 6

  • VDS?max

    :25.0V

  • RDS (on)(@10V)?max

    :0.9m?

  • RDS (on)?max

    :0.9m?

  • RDS (on)?max

    :0.9m?

  • RDS (on)(@10V)?max

    :0.9m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max

    :1.35m?

  • RDS (on)(@4.5V)?max

    :1.35m?

  • Polarity?

    :N+N

  • Polarity?

    :N+N

  • ID (@ TC=100°C)?max

    :243.0A

  • ID ?max

    :303.0A

  • ID (@ TC=70°C)?max

    :303.0A

  • RthJA?max

    :19.1K/W

  • Moisture Sensitivity Level?

    :2

  • VGS?max

    :16.0V

  • Qgd(typ)?

    :5.2nC?

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
24+
QFN
8500
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價(jià)出售
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IR
2402+
QFN
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IR
24+
QFN
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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IR
25+
QFN
1983
全新原裝正品支持含稅
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IR
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PQFN6X6
80000
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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PQFN 6 x 6
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IR
23+
PQFN 6 x 6
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Infineon Technologies
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