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LTC3315A

5V,3ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin2mmx2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN

FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher?Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,Dual4A/Dual-Phase8AStep-DownDC/DCRegulatorin2.2mm×2.7mmWLCSP

FEATURES -Dual4AOutputs -ConfigurableasSingleOutput,2-Phase8ABuck -HighEfficiency:12mΩHigh-Sideand8mΩLow-Side -±1MaximumTotalDCOutputError -WideBandwidth,FastTransientResponse -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0.5VtoVIN -ProgrammableFrequencyto3MHz

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315A

5V,2ASynchronousStep-DownRegulatorin2mm×2mmFCQFN

FEATURES -HighEfficiency:30mΩNMOS,85mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -27nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -Low-RippleBurstMode?OperationwithIQof80μA -Upto6MHzOperation -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AEV#TRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AEV#WTRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AHV#TRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AHV#WTRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AIV#TRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3315AIV#WTRMPBF

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRF3315STRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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更多IRF3315STRL供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 14:30:00

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