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IRF331分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRF331
廠商型號(hào)

IRF331

參數(shù)屬性

IRF331 封裝/外殼為T(mén)O-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 150V D2PAK

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

848.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
NJSEMI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 18:03:00

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IRF331規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

These devices are n-channol, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.

? VQS Rated at ±20 V

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds

? IDSS, VDS(on), SOA and VGS(th) Specified at Elevated

Temperature

? Rugged

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRF3314STRR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類(lèi)型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 描述:

    MOSFET N-CH 150V D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
21+
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TO-220AB
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