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KTC3205

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

KTC3205

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENT)

HIGHCURRENTAPPLICATION. FEATURES *ComplementarytoKTA1273.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KTC3205

SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features ComplementarypairwithKTA1273. Applications Highcurrentapplication.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

KTC3205

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

KTC3205

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

Features ?PowerDissipation:1W(Tamb=25°C) ?CollectorCurrent:2A ?Collector-baseVoltage:30V ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:KTC3205 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ?

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

KTC3205

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

KTC3205

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURE ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Audiopoweramplifier ●HighCurrent

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

KTC3205

EpitaxialPlanarNPNTransistor

■Features ●CollectorPowerDissipation:PC=500mW ●CollectorCurrent:IC=2A

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KTC3205

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Highcurrentapplication ComplementarytoKTA1273

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

KTC3205

BIPOLARTRANSISTOR(NPN)

FEATURES ?ComplementarytoKTA1273 ?HighCurrentApplication ?SurfaceMountdevice

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF3205ZSTRR

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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Vishay Siliconix
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 詢價(jià)
更多IRF3205ZSTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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