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KSMB3205

Excellentpackageforgoodheatdissipation.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KTC3205

TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

KTC3205

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENT)

HIGHCURRENTAPPLICATION. FEATURES *ComplementarytoKTA1273.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC3205

SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features ComplementarypairwithKTA1273. Applications Highcurrentapplication.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

KTC3205

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司

KTC3205

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

Features ?PowerDissipation:1W(Tamb=25°C) ?CollectorCurrent:2A ?Collector-baseVoltage:30V ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?Marking:KTC3205 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) ?

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

KTC3205

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTC3205

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

FEATURE ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Audiopoweramplifier ●HighCurrent

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

KTC3205

EpitaxialPlanarNPNTransistor

■Features ●CollectorPowerDissipation:PC=500mW ●CollectorCurrent:IC=2A

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KTC3205

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Highcurrentapplication ComplementarytoKTA1273

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF3205ZSTRL

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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TO-263
3000
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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D2PAK
6000
原裝正品，支持實單
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Vishay Siliconix
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TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
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VISHAY/威世
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原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價出售
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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TO-263
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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更多IRF3205ZSTRL供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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