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IRF241R

Avalanche Energy Rated N-Channel Power MOSFETs

AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRF240R,IRF241R,IRF242RandIRF243RareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRFP241R

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS241

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFS241

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISCSH241W

UltrafastRectifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K241

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

FMTuner,VHFandRFAmplifierApplications Lowreversetransfercapacitance:Crss=0.035pF(typ.) Lownoisefigure:NF=1.7dB(typ.) Highpowergain:GPS=28dB(typ.) Recommendoperationvoltage:5~15V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

KAP-241

BI-DIRECTIONALCOUPLERS

BI-DIRECTIONALCOUPLERS

SYNERGY

Synergy Microwave Corporation

KDV241E

SILICONEPITAXIALPLANARDIODE

ANTENNATUNNINGAPPLICATION FEATURES ?LowTuningVoltage:VT=3V. ?HighCapacitanceRatio:C0.5V/C3V=3.5(Min.) ?ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KEWT-241-B

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

KEWT-241-BSLASHQ

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

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更多IRF241R供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 16:30:00

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