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IRF1404SPBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRF1404SPBF |
| 功能描述 | HEXFET? Power MOSFET |
| 文件大小 |
3.89112 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | KERSEMI |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 16:50:00 |
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更多IRF1404SPBF規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
Seventh Generation HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF1404SPBF
- 功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+23+ |
TO263 |
73049 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
TO-263 |
9526 |
詢價(jià) | |||
IR/VISHAY |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
2022+ |
原廠原包裝 |
6800 |
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詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
TO263 |
20000 |
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詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO263 |
7530 |
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購(gòu)! |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) |
