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IRFR1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010Z	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR1010ZPBF	文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR1010ZTRL	文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF1010NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	IRF1010NSTRL	INTERNATIONA	05+	原廠原裝	4404	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF1010NSTRL	IR	23+	TO-263	9500	專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
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深圳市賽爾通科技有限公司	IRF1010NSTRL	ST	23+		65480		詢(xún)價(jià)
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