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IRF1010ELPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ELPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：231.86 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EPBF	文件：3.12153 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1010ES	文件：123.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A?? Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ES	文件：263.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF1010ESPBF	文件：218.72 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010ESPBF	文件：227.87 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：285.31 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombi	IRF International Rectifier	IRF
IRF1010EZ	文件：338.8 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF1010ELPBF
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
HEXFET Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF1010ELPBF	IR	24+	TO-262-3	165		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF1010ELPbF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRF1010ELPBF	International Rectifier	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRF1010ELPBF	IR	22+	EQ-D2PAK	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRF1010ELPBF	IR	23+	EQ-D2PAK	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRF1010ELPBF	IR	23+	EQ-D2PAK	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRF1010ELPBF	IR	23+	EQ-D2PAK	7000		詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IRF1010EMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳龐田科技有限公司	IRF1010EMOS(場效應(yīng)管)	INFINEON/英飛凌	2023+	TO-220	2000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	IRF1010EMOS(場效應(yīng)管)	IR	24+	TO-220	60000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRF1010ELPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-22 16:30:00

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