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IR2117S集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IR2117S
廠商型號(hào)

IR2117S

參數(shù)屬性

IR2117S 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為散裝;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

SINGLE CHANNEL DRIVER

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

161.12 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 16:12:00

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IR2117S規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration which operates up to 600 volts.

特性 Features

? Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 to 20V

? Undervoltage lockout

? CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

? Output in phase with input (IR2117) or out of phase with input (IR2118)

? Also available LEAD-FREE

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IR2117STR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    散裝

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    6V,9.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    80ns,40ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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SOP8
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