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IR20153S集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IR20153S
廠商型號

IR20153S

參數(shù)屬性

IR20153S 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為散裝;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

功能描述

HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

220.17 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 16:20:00

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IR20153S規(guī)格書詳情

描述 Description

The IR20153S is a high voltage, high speed power MOSFET driver . Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS output down to 3.3V. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET in the high or low side configuration which operates up to 150 volts.

特性 Features

? Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational up to 150V Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

? Gate drive supply range from 5V to 20V

? Undervoltage lockout

? Internal recharge FET for bootstrap refresh

? Internal deadtime of 11μs and 0.8μs

? CMOS Schmitt-triggered input logic

? Output out of phase with input

? Reset input

? Split pull-up and pull-down gate drive pins

? Also available LEAD-FREE (PbF)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IR20153STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    散裝

  • 驅(qū)動配置:

    高端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    5V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.4V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    200ns,100ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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