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IQD063N15NM5SC中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IQD063N15NM5SC
廠商型號(hào)

IQD063N15NM5SC

功能描述

MOSFET OptiMOS? 5 Power?Transistor, 150 V

絲印標(biāo)識(shí)

JA

封裝外殼

PG-WHSON-8

文件大小

1.08362 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-2 18:48:00

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IQD063N15NM5SC規(guī)格書詳情

特性 Features

? N?channel, normal level

? Very low on?resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? Optimized design for double side cooling

? 100% avalanche tested

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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