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IPW60R280C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

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IPW60R280C6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPW60R280C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/6r280c6/marking.html">6R280C6；Package：PG-TO247；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere

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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

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IPW60R280C6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實踐驗證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢:\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n?\n;

CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3\n

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IPW60R280C6FKSA1

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

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技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-247

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    280.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    13.8A

  • Ptot?max：

    104.0W

  • IDpuls?max：

    40.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    43.0nC?

  • Rth?：

    1.2K/W?

  • RthJC?max：

    1.2K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IPW60R280C6供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:24:00

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