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IPW60R190E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R190E6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPW60R190E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關行為\n? 非常高的換流堅固性\n? 由于非常低的優(yōu)質系數(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經過實踐驗證的 CoolMOS? 質量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產品相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢:\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關拓撲中使用\n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關應用中的效率\n? 改進了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應而引發(fā)的振蕩\n;

?CoolMOS? E6 結合了英飛凌作為業(yè)內領先的超結MOSFET供應商的相關經驗與其先進的創(chuàng)新技術所提供的器件具備了快速開關 SJ MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。很低的開關和通態(tài)損耗使開關應用更高效，結構緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW60R190E6

600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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絲印：6R190E6；Package：PG-TO247；600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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IPW60R190E6_15

600V CoolMOS? E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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技術參數

  • Package?：

    TO-247

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    190.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    20.2A

  • Ptot?max：

    151.0W

  • IDpuls?max：

    59.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    63.0nC?

  • Rth?：

    0.83K/W?

  • RthJC?max：

    0.83K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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