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IPW60R145CFD7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

IPW60R145CFD7
廠商型號

IPW60R145CFD7

參數(shù)屬性

IPW60R145CFD7 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET HIGH POWER

功能描述

MOSFET 600V CoolMOSa CFD7 Power Transistor
MOSFET HIGH POWER

絲印標(biāo)識

60R145F7

封裝外殼

PG-TO247-3

文件大小

1.35106 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-31 20:55:00

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IPW60R145CFD7規(guī)格書詳情

IPW60R145CFD7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPW60R145CFD7晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? Ultra-fast body diode

? Low gate charge

? Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

? Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dt ruggedness

? Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

? Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPW60R145CFD7XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    16A(Tc)

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 描述:

    MOSFET HIGH POWER

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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