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IPT60R090CFD7

絲印：60R090F7；Package：PG-HSOF-8；600V CoolMOS? CFD7 Power Transistor

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IPT60R090CFD7

600V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; \n優(yōu)勢:\n? Best-in-class hard commutation ruggedness\n? Highest reliability for resonant topologies\n? Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off\n? Enabling increased power density solutions\n;

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MOSFET600VCoolMOS?CFD7PowerTransistor

MOSFET 600VCoolMOSaCFD7PowerTransistor CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS?CFD7isthe successortotheCoolMOS?CFD2seriesandisanopti

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Features ?Ultra-fastbodydiode ?Lowgatecharge ?Best-in-classreverserecoverycharge(Qrr) ?ImprovedMOSFETreversediodedv/dtanddiF/dtruggedness ?LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss ?Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages

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更多IPT60R090CFD7供應商 更新時間2024-2-29 11:17:00

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