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IPS80R1K4P7

效率和散熱性能的新基準; ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ\n? 同類中較為出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 變動 ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護，最高可達 2 級（HBM）\n? 出色的質量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢:\n? 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設計、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅動和設計\n? 通過減少ESD相關故障，提高產量\n? 減少生產問題，減少外部退貨\n? 易于選擇合適的零件來優(yōu)化設計\n;

800V CoolMOS? P7超結MOSFET系列完全適合低功率SMPS應用，可完全滿足性能，易用性和性價比等市場需求。它主要側重于反激式應用，包括適配器和充電器，LED驅動器，音頻SMPS，輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產品相比，這一新產品系列可提供高達0.6％的效率增益；與典型反激式應用中測試的其他競爭對手產品想相比，MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過降低開關損耗和改善DPAK R DS（on）產品，實現(xiàn)更高功率密度的設計?？偠灾?，這有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。\n

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800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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800VCoolMOS?P7PowerTransistor

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

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800VCoolMOS?P7PowerTransistor

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Best-in-classCoolMOS?qualityandreliability;qualifiedforindustrial gradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20a

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800VCoolMOS?P7PowerTransistor

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800VCoolMOS?P7PowerDevice

MOSFET 800VCoolMOSaP7PowerDevice Thelatest800VCoolMOS?P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation.

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