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IPS60R1K0CE

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 典型 R DS （on） 和最大 R DS (on) 之間的邊距較窄\n? 減少了儲(chǔ)存在輸出電容中的能量 (Eoss)\n? 體二極管穩(wěn)健性良好，反向恢復(fù)電荷（Q rr）較低\n? 經(jīng)過(guò)優(yōu)化的集成 Rg\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 低通態(tài)損耗\n? 低開(kāi)關(guān)損耗\n? 兼適于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)\n? 易掌控的轉(zhuǎn)換行為\n? 提高效率，進(jìn)而降低功耗\n? 減輕設(shè)計(jì)工作量\n? 使用簡(jiǎn)便\n;

CoolMOS?CE適用于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，作為現(xiàn)代超結(jié)，它可以提供低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗，進(jìn)而提高效率并最終降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS?CE 結(jié)合了最佳的 RDS （on）和封裝，適用于手機(jī)和平板電腦的低功耗充電器。

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS60R1K0CE

600V CoolMOS? CE Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU60R1K0CE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPU60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse/drive ?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforstandardgradeapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMD60R1K0RFZ

600V1.0?N-channelMOSFET

?Description MMD60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMD60R1K0RFZRH

600V1.0?N-channelMOSFET

?Description MMD60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMFA60R1K0RFZ

600V1.0?N-channelMOSFET

?Description MMF60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMFA60R1K0RFZTH

600V1.0?N-channelMOSFET

?Description MMF60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPS60R1K0CEAKMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO251-3

  • VDS max：

    600 V

  • RDS (on) @10V max：

    1000 m?

  • ID @25°C max：

    6.8 A

  • QG typ @10V：

    13 nC

  • Special Features：

    price/performance

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -40 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    2.5 V

  • VGS(th) max：

    3.5 V

  • Technology：

    CoolMOS? CE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
23+
TO-251-3
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-251
8850
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
19+
PG-TO251-3
13
正規(guī)渠道原裝正品
 詢價(jià)
INFINOEN
24+
TO-251-3
90000
一級(jí)代理進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
2447
PG-TO251-3
115000
1500個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
2021+
PG-TO251-3
9600
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO251-3
25000
原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
24+
PG-TO251-3
6000
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
PG-TO251-3
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
INFINEON
25+
TO-251-3
8880
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世！
 詢價(jià)
更多IPS60R1K0CE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 15:59:00

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