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IPP65R280E6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.28? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPP65R280E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關行為\n? 非常高的換流堅固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實踐驗證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價比更高\n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢:\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關拓撲中使用\n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關應用中的效率\n? 改進了易用性\n? 減輕可能因為 PCB 布局和封裝寄生效應而引發(fā)的振蕩\n;

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領先的超結(jié)MOSFET供應商的相關經(jīng)驗與其先進的創(chuàng)新技術所提供的器件具備了快速開關 SJ MOSFET 的所有優(yōu)點，同時又不犧牲易用性。很低的開關和通態(tài)損耗使開關應用更高效，結(jié)構緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R280E6

650V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R280E6

650V CoolMOS E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW65R280E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤280m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPW65R280E6

650VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPW65R280E6

650VCoolMOSE6PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術參數(shù)

  • Package?：

    TO-220

  • VDS?max：

    650.0V

  • RDS (on)?max：

    280.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    13.8A

  • Ptot?max：

    104.0W

  • IDpuls?max：

    39.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    45.0nC?

  • Rth?：

    1.2K/W?

  • RthJC?max：

    1.2K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
17588
原裝進口假一罰十
 詢價
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
Infineon(英飛凌)
24+
TO-220
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
INF進口原
17+
TO-220
6200
詢價
Infineon
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
INF
1715+
SOP
251156
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十!
 詢價
INFINE0N
23+
TO-220-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
inf進口原
25+23+
TO-220
22851
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
 詢價
INF
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
inf進口原
24+
TO-220
30980
原裝現(xiàn)貨/放心購買
 詢價
更多IPP65R280E6供應商 更新時間2025-7-28 16:29:00

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