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IPP130N20NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPP130N20NM6
廠商型號

IPP130N20NM6

功能描述

MOSFET OptiMOS? 6 Power?Transistor, 200 V

絲印標識

130N20N6

封裝外殼

PG-TO220-3

文件大小

895.84 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-31 23:00:00

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特性 Features

? N?channel, normal level

? Low on?resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? 175°C operating temperature

? Pb?free lead plating; RoHS compliant

? Halogen?free according to IEC61249?2?21

? 100% avalanche tested

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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