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IPP034NE7N3

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP034NE7N3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? 針對同步整流進行技術(shù)優(yōu)化\n? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (RDs(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS（on）產(chǎn)品（FOM）\n? 符合 RohS - 無鹵素\n? MSL3 評級\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少所需的并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計\n;

75V OptiMOS?技術(shù)專注于同步整流應(yīng)用?；陬I(lǐng)先的80V技術(shù)，這些75V產(chǎn)品同時具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP034NE7N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Optimized technology for synchronous rectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP034NE7N3G

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP034NE7N3G_15

N-channel, normal level

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IIPP034NE7N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPI034NE7N3G

OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesOptimizedtechnologyforsynchronousrectification

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPP034NE7N3GXKSA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO220-3

  • VDS max：

    75 V

  • RDS (on) @10V max：

    3.4 m?

  • ID @25°C max：

    100 A

  • QG typ @10V：

    88 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    175 °C

  • Technology：

    OptiMOS? 3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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INFINEON/英飛凌
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TO-220
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INFINEON/英飛凌全新現(xiàn)貨IPP034NE7N3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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TO220-3
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Infineon
23+
TO220-3
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INFINEON/英飛凌
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TO-220
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Infineon(英飛凌)
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Infineon
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TO220-3
25000
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TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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23+
TO-220
7000
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更多IPP034NE7N3供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 23:00:00

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