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IPI65R600C6

650V CoolMOS C6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI65R600C6

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP65R600C6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP65R600C6

650VCoolMOSC6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP65R600C6

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPX65R600C6

650VCoolMOSC6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IPI65R600C6

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    CoolMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
24+
TO-262
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
Infineon
1726+
TO-262
6528
只做進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
INfineon
25+23+
TO-262
28937
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-262
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
infineon
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON
21+
TO-262
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
22+
TO-262
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
TO-262
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
更多IPI65R600C6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 16:12:00

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