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IPI60R190C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
IPI60R190C6 |
功能描述 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
文件大小 |
1.27182 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
19 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-3 23:22:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 型號:
IPI60R190C6
- 功能描述:
MOSFET 600V CoolMOSC6 Power Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO262-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
70 |
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詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO262 |
7350 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-262 |
8540 |
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詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO262-3 |
6820 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-262 |
10000 |
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詢價 | ||
INFINEON |
17+ |
TO-262 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
PG-TO262-3 |
315000 |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
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ADI |
23+ |
TO-262 |
7000 |
詢價 |