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IPU04N03LAG

OptiMOS?2Power-Transistor

PackageMarking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU04N03LBG

OptiMOS?2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PJ04N03D

25VN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ?RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=4m? ?RDS(ON),VGS@5.0V,IDS@24A=6m? ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance ?SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?Incompliance

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPI04N03LA

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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