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IPF021N13NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPF021N13NM6
廠商型號

IPF021N13NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

絲印標識

021N13N6

封裝外殼

PG-TO263-7

文件大小

1.07349 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 15:38:00

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IPF021N13NM6規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? 100 avalanche tested

? 175°C operating temperature

? Optimized for motor drives and battery powered applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
24+
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現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!!
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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