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IPDQ60R022S7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IPDQ60R022S7
廠商型號

IPDQ60R022S7

參數(shù)屬性

IPDQ60R022S7 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

功能描述

600V CoolMOSa SJ S7 Power Device
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

絲印標識

60R022S7

封裝外殼

PG-HDSOP-22

文件大小

1.03865 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-31 23:00:00

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IPDQ60R022S7規(guī)格書詳情

IPDQ60R022S7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPDQ60R022S7晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

特性 Features

? CoolMOS? S7 technology enables 22mW RDS(on) in the smallest footprint

? Optimized price performance in low frequency switching applications

? High pulse current capability

? Kelvin Source pin improves switching performance at high current

? QDPAK (PG-HDSOP-22-1) offers top side cooling with improved

package thermals

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPDQ60R022S7XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 描述:

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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