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IPD80R600P7

效率和散熱性能的新基準(zhǔn); ? 同類中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類中較為出色的 DPAK R DS（on） 280mΩ\n? 同類中較為出色的 V (GS)th，3V，和最小 V (Gs)th 變動(dòng) ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護(hù)，最高可達(dá) 2 級（HBM）\n? 出色的質(zhì)量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢:\n? 比之CoolMOS C3，此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益，MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設(shè)計(jì)、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)\n? 通過減少ESD相關(guān)故障，提高產(chǎn)量\n? 減少生產(chǎn)問題，減少外部退貨\n? 易于選擇合適的零件來優(yōu)化設(shè)計(jì)\n;

800V CoolMOS? P7超結(jié)MOSFET系列完全適合低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能，易用性和性價(jià)比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式應(yīng)用，包括適配器和充電器，LED驅(qū)動(dòng)器，音頻SMPS，輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比，這一新產(chǎn)品系列可提供高達(dá)0.6％的效率增益；與典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品想相比，MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過降低開關(guān)損耗和改善DPAK R DS（on）產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計(jì)?？偠灾@有助于客戶節(jié)省物料成本，減少組裝工作量。\n

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IPD80R600P7

絲印：80R600P7；Package：PG-TO252-3；800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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IPLK80R600P7

MOSFET800VCoolMOS?P7PowerDevice

1 Thelatest800VCoolMOS?P7seriessetsanewbenchmarkin800V superjunctiontechnologiesandcombinesbest-in-classperformancewith stateoftheartease-of-use,resultingfromInfineon’sover18years pioneeringsuperjunctiontechnologyinnovation. Features ?Best-in-classFOMRDS(on

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800VCoolMOS?P7PowerTransistor

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技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPD80R600P7ATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO252-3

  • VDS max：

    800 V

  • RDS (on) @10V max：

    600 m?

  • ID @25°C max：

    8 A

  • QG typ @10V：

    20 nC

  • Special Features：

    price/performance

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    2.5 V

  • VGS(th) max：

    3.5 V

  • Technology：

    CoolMOS? P7

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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2500個(gè)/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
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Infineon(英飛凌)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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2021+
PG-TO252-3
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原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià)
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更多IPD80R600P7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:35:00

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