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IPD80R1K4CE

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 特定導(dǎo)通電阻低（R DS（on）* A）\n? 輸出電容為（E oss）@ 400V 時(shí)，能量?jī)?chǔ)存非常低\n? 低柵極電荷 (Qg)\n? 經(jīng)過現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量\n? 自1998年以來，英飛凌就開始大規(guī)模開發(fā)CoolMOS? 技術(shù)\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 高效率，高功率密度\n? 超高性價(jià)比\n? 高可靠性\n? 使用方便\n;

800V CoolMOS?CE 是英飛凌的高性能器件系列，可提供 800V 的擊穿電壓。CE產(chǎn)品專注于消費(fèi)者電子應(yīng)用以及照明產(chǎn)業(yè)。新推出的 800V 精選系列產(chǎn)品是專門為 LED 應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。英飛凌用這一特定 CoolMOS? 系列，將長(zhǎng)期以來作為行業(yè)領(lǐng)先的超結(jié) MOSFET 供應(yīng)商經(jīng)驗(yàn)與頂級(jí)的創(chuàng)新很好地結(jié)合了起來。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD80R1K4CE

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA80R1K4CE

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA80R1K4CE

Highpeakcurrentcapability

Features ?Highvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Lowgatecharge ?Loweffectivecapacitances ?Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforconsumergradeapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPU80R1K4CE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPU80R1K4CE

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPX80R1K4CE

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPD80R1K4CEATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO252-3

  • VDS max：

    800 V

  • RDS (on) @10V max：

    1400 m?

  • ID @25°C max：

    3.9 A

  • QG typ @10V：

    23 nC

  • Special Features：

    price/performance

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • VGS(th) min：

    2.1 V

  • VGS(th) max：

    3.9 V

  • Technology：

    CoolMOS? CE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IPD80R1K4CE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 13:01:00

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