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IPD650P06NM中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPD650P06NM
廠商型號(hào)

IPD650P06NM

功能描述

MOSFET OptiMOSTM Power Transistor, -60 V

絲印標(biāo)識(shí)

650P06NM

封裝外殼

PG-TO252-3

文件大小

913.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱(chēng)

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-31 23:01:00

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IPD650P06NM規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? P-Channel

? Very low on-resistance RDS(on)

? 100 avalanche tested

? Normal Level

? Enhancement mode

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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