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IPD60R950C6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢(shì):\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n?\n;

CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R950C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R950C6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD60R950C6

600V CoolMOS??C6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R950C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/6r950c6/marking.html">6R950C6；Package：PG-TO252；600V CoolMOS??C6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R950C6

600VCoolMOS??C6PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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600VCoolMOS??C6PowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R950C6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R950C6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.95? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPU60R950C6

MaterialContentDataSheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPD60R950C6ATMA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO252-3

  • VDS max：

    600 V

  • RDS (on) @10V max：

    950 m?

  • ID @25°C max：

    4.4 A

  • QG typ @10V：

    13 nC

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • VGS(th) min：

    2.5 V

  • VGS(th) max：

    3.5 V

  • Technology：

    CoolMOS? C6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
infineon/英飛凌
20+
SOT-252
16300
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
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INFINEON/英飛凌
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TO-252
32360
INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IPD60R950C6即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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INFINEON/英飛凌
24+
SOT-252
17532
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
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N/A
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Infineon(英飛凌)
2023+
PG-TO252-3
4550
全新原裝正品
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-252
12047
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
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INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
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英飛凌
24+/25+
TO-252
5000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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INFINEON
24+
TO252
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
更多IPD60R950C6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 13:01:00

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