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IPD60R750E6

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD60R750E6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 由于非常低的優(yōu)質(zhì)系數(shù)(R DS(ON)*Q g) 和 E oss)，因此損耗極低\n? 使用簡(jiǎn)便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低 \n \n\n優(yōu)勢(shì):\n? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n;

?CoolMOS? E6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)所提供的器件具備了快速開關(guān) SJ MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ?\n ? 600V CoolMOS? E6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? E6 可替代 650V CoolMOS? C3 \n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R750E6

600V CoolMOS E6 Power Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R750E6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R750E6

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP60R750E6

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?ProvideallbenefitsofafastswitchingsuperjunctionMOSwhilenot sacrificingeaseofuse ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustde

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPP60R750E6

600VCoolMOSE6PowerTransistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies. Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson^QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easyto

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    DPAK (TO-252)

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    750.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    5.7A

  • Ptot?max：

    48.0W

  • IDpuls?max：

    15.7A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    17.2nC?

  • Rth?：

    2.6K/W?

  • RthJC?max：

    2.6K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

  • Pin Count?：

    3.0Pins?

  • Mounting?：

    SMT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon/英飛凌
20+
TO-252
16300
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-252
17534
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
13CN
TO-252
12500
原廠直銷
 詢價(jià)
INFINEON
2021+
TO-252
9450
原裝現(xiàn)貨。
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
300
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
INFINEON
24+
TO-252
6800
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-252
9555
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
更多IPD60R750E6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 13:01:00

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