首頁>IPD60R3K3C6>規(guī)格書詳情
IPD60R3K3C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IPD60R3K3C6 |
功能描述 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
文件大小 |
963.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-23 9:11:00 |
人工找貨 | IPD60R3K3C6價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IPD60R3K3C6
- 功能描述:
MOSFET N-CH 650V 1.7A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+23+ |
TO-252 |
8000 |
新到現(xiàn)貨,只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
1051+ |
TO252 |
2000 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開發(fā)票,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IPD60R3K3C6即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
65200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO252 |
4500 |
原裝 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO252 |
19000 |
只做正品原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
20+ |
TO252 |
16300 |
終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢 |
詢價(jià) |