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IPD50N06S4L-12中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD50N06S4L-12
廠商型號

IPD50N06S4L-12
功能描述

OptiMOS-T2 Power-Transistor
文件大小

168.66 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商

INFINEON
中文名稱

英飛凌
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 15:50:00
人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IPD50N06S4L-12

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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