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IPD30N10S3L-34

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD30N10S3L-34

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N10S3L-34

OptiMOS?-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N10S3L-34

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD30N10S3L-34

20V-650V汽車級(jí)MOSFET; ? N-channel - Enhancement mode\n ? Automotive AEC Q101 qualified\n ? MSL1 up to 260°C peak reflow\n ? 175°C operating temperature\n ? Green product (RoHS compliant)\n ? 100% Avalanche tested\n\n優(yōu)勢(shì):\n? highest current capability 180A\n ? low switching and conduction power losses for high thermal efficiency\n ? robust packages with superior quality and reliability\n ? optimized total gate charge enables smaller driver output stages\n;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD30N10S3L-34_11

OptiMOS?-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    IPD30N10S3L34ATMA1

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    DPAK (PG-TO252-3)

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    31 m?

  • ID @25°C max：

    30 A

  • QG typ @10V：

    24 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    1.2 V

  • VGS(th) max：

    2.4 V

  • Technology：

    OptiMOS?-T

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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終端可免費(fèi)提供樣品,歡迎咨詢
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原裝正品現(xiàn)貨，誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)。假一賠十
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主營(yíng)品牌深圳百分百原裝現(xiàn)貨假一罰十絕對(duì)價(jià)優(yōu)
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INFINEON/英飛凌
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10年以上分銷商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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更多IPD30N10S3L-34供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 13:01:00

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