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首頁(yè)>IPD30N03S4L-14>芯片詳情

IPD30N03S4L-14_INFINEON/英飛凌_MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms英科美電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    IPD30N03S4L-14

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    17154

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-25 16:29:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IPD30N03S4L-14品牌：INFINEON/英飛凌

原裝進(jìn)口假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    IPD30N03S4L-14

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    190.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    OptiMOS-T2 Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IPD30N03S4L-14

  • 功能描述：

    MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    15507502698

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23903058

  • 傳真：

    0755-23905869

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730

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