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SDD20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDD20N03L	文件：960.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：960.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SSD20N03	文件：693.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION TheSSD20N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM20N03P	文件：453.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SSM20N03S	文件：453.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
STD20N03L	文件：801.98 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ?SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ?Ruggedandreliable. ?TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU20N03L	文件：801.98 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ?SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ?Ruggedandreliable. ?TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU20N03L	文件：914.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IPD20N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
OptiMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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