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IPD10N03LA中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IPD10N03LA規(guī)格書詳情
特性 Features
? Ideal for high-frequency dc/dc converters
? Qualified according to JEDEC1) for target application
? N-channel, logic level
? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
? Superior thermal resistance
? 175 °C operating temperature
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IPD10N03LA
- 功能描述：
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
OptiMOS™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
NA |
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詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
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INFINEON |
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INFINEON/英飛凌 |
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P-TO252 |
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