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IPD090N03LGE8177中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPD090N03LGE8177
廠商型號(hào)

IPD090N03LGE8177

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor

文件大小

315.67 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 20:00:00

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IPD090N03LGE8177規(guī)格書詳情

OptiMOS?3 Power-Transistor

特性 Features

? Fast switching MOSFET for SMPS

? Optimized technology for DC/DC converters

? Qualified according to JEDEC1) for target applications

? N-channel, logic level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? Avalanche rated

? Pb-free plating

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPD090N03LGE8177

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    OptiMOS?3 Power-Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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