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IPD053N06N中文資料英飛凌數據手冊PDF規(guī)格書

IPD053N06N
廠商型號

IPD053N06N

功能描述

OptiMOSTM Power-Transistor

文件大小

498.6 Kbytes

頁面數量

9

生產廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-15 12:00:00

人工找貨

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產品屬性

  • 型號:

    IPD053N06N

  • 功能描述:

    MOSFET 60V TO-252

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
2023+
TO-252-3
42500
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨
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24+
TO-252
5000
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2511
標準封裝
7000
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25+
PG-TO252-3
20300
INFINEON/英飛凌原裝特價IPD053N06N即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
2500
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23+
PG-TO252-3 (DPAK)
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原裝正品 支持實單
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24+
TO-263
2500
只做原裝 有掛有貨 假一賠十
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24+
PG-TO252-3
6000
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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Infineon/英飛凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原裝,質量保證
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INFINEON/英飛凌
22+
TO-252
3500
原裝正品
詢價