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IPC26N12NR中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPC26N12NR
廠商型號(hào)

IPC26N12NR

功能描述

OptiMOSTM3 Power MOS Transistor Chip

文件大小

118.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-13 9:31:00

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IPC26N12NR規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? N-channel enhancement mode

? For additional characteristic and max ratings refer to the datasheet of IPP048N12N3 G 1)

? AQL 0.65 for visual inspection according to failure catalogue

? Electrostatic Discharge Sensitive Device according to MIL-STD 883C

? Die bond: soldered or glued

? Backside metallization: NiV system

? Frontside metallization: AlSi system

? Passivation: nitride (only on edge structure)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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