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IPC218N06N3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

IPC218N06N3
廠商型號

IPC218N06N3

參數(shù)屬性

IPC218N06N3 封裝/外殼為模具;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MV POWER MOS

功能描述

N-channel enhancement mode
MV POWER MOS

封裝外殼

模具

文件大小

547.47 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-14 16:26:00

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IPC218N06N3規(guī)格書詳情

IPC218N06N3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IPC218N06N3晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IPC218N06N3X7SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    OptiMOS? 3

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):

    100 毫歐 @ 2A,10V

  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):

    4V @ 196μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 描述:

    MV POWER MOS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INPAQ/佳邦
23+
2520
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
POWER SUPPLY
5
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INFINEON/英飛凌
25+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
22+
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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20+
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23+
1
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
23+
1
7000
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24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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