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IPB70N10S3-12中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB70N10S3-12
廠商型號

IPB70N10S3-12

功能描述

OptiMOS-T Power-Transistor

絲印標識

3N1012

封裝外殼

PG-TO263-3-2

文件大小

192.39 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 14:11:00

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IPB70N10S3-12規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel - Enhancement mode

? Automotive AEC Q101 qualified

? MSL1 up to 260°C peak reflow

? 175°C operating temperature

? Green product (RoHS compliant)

? 100 Avalanche tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB70N10S3-12

  • 功能描述:

    MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 70A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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