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IPB65R110CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPB65R110CFD
廠商型號(hào)

IPB65R110CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

65F6110

封裝外殼

PG-TO263

文件大小

3.85934 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:00:00

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IPB65R110CFD規(guī)格書詳情

描述 Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

? Ultra-fast body diode

? Very high commutation ruggedness

? Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

? Easy to use/drive

???????? Qualified for industrial grade applications according to JEDEC?

? ?(J-STD20 and JESD22)

? Pb-free plating, Halogen free mold compound

Applications

? ?650V CoolMOS CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

? ?stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server, Telecom and Solar.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPB65R110CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110 mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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