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IPB60R380C6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPB60R380C6
廠商型號(hào)

IPB60R380C6

功能描述

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R380C6

封裝外殼

PG-TO263

文件大小

1.4056 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 13:53:00

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IPB60R380C6規(guī)格書詳情

特性 Features

* Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss

* Very high commutation ruggedness

* Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free

* Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPB60R380C6

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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