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IPB60R125C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?C6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB60R125C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/d2pak/marking.html">D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB60R125C6

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/6r125c6/marking.html">6R125C6；Package：PG-TO263；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Features *ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdsonQgandEoss *Veryhighcomutationruggedness *Easytoues/drive *JEDECqualified,Pb-freeplating,Halogenfree

InfineonInfineon Technologies AG

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IPB60R125C6

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; ? 易于控制開關(guān)行為\n? 由于非常低的品質(zhì)因數(shù)（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此損耗極低\n? 非常高的換流堅(jiān)固性\n? 使用簡便\n? 與 C3 相比，具有更高的輕載效率\n? 出色的可靠性和經(jīng)過實(shí)踐驗(yàn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量以及高密度二極管耐用性\n? 與以前的 CoolMOS? 幾代產(chǎn)品相比，性價(jià)比更高\(yùn)n? 更高效、更緊湊、重量更輕、溫度更低\n\n\n優(yōu)勢(shì):\n?\n ? 提升功率密度\n? 提升可靠性\n? 通用部件可在軟、硬開關(guān)拓?fù)渲惺褂肻n? 提高輕載效率\n? 提高在硬開關(guān)應(yīng)用中的效率\n? 改進(jìn)了易用性\n? 減輕可能因?yàn)?PCB 布局和封裝寄生效應(yīng)而引發(fā)的振蕩\n?\n;

CoolMOS? C6 結(jié)合了英飛凌作為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的超結(jié)MOSFET供應(yīng)商的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)與其先進(jìn)的創(chuàng)新技術(shù)C6 器件具備了快速開關(guān)超結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又不犧牲易用性。很低的開關(guān)和通態(tài)損耗使開關(guān)應(yīng)用更高效，結(jié)構(gòu)緊湊、重量更輕、溫度更低。\n ? 600V CoolMOS? C6 可替代 600V CoolMOS? C3\n? 650V CoolMOS? C6 可替代 650V CoolMOS? C3\n

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IPB60R125C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPB60R125C6_14

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    D2PAK (TO-263)

  • VDS?max：

    600.0V

  • RDS (on)?max：

    125.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    30.0A

  • Ptot?max：

    219.0W

  • IDpuls?max：

    89.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.5V?3.5V

  • QG?：

    96.0nC?

  • Rth?：

    0.57K/W?

  • RthJC?max：

    0.57K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-263
17059
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON
2021+
9450
原裝現(xiàn)貨。
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
英飛翎
17+
D2PAK(TO-263)
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
24+
TO-263
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INFINEON
2016+
TO-263
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
INFINEON
1708+
D2PAK(TO-263)
7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
ON
18+
TO-263
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價(jià)
更多IPB60R125C6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 17:18:00

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