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IPB200N25N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IPB200N25N3G
廠商型號(hào)

IPB200N25N3G

功能描述

OptiMOSTM3 Power-Transistor

文件大小

427.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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IPB200N25N3G規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPB200N25N3G

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)
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原裝正品,力挺實(shí)單
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
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