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首頁(yè)>IPB160N04S3-H2>詳情

IPB160N04S3-H2_INFINEON/英飛凌_MOSFET N-CH 40V 160 A旺財(cái)半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    IPB160N04S3-H2

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    35680

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO263-7

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-28 10:36:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：IPB160N04S3-H2品牌：INFINEON/英飛凌

只做進(jìn)口原裝QQ:373621633

  • 芯片型號(hào)：

    IPB160N04S3-H2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    197.75 kb

  • 資料說(shuō)明：

    OptiMOS-T Power-Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    IPB160N04S3-H2

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V 160 A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13332916726

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83209217

  • 傳真：

    0755-83209217

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華西路華康大廈二棟603室/柜臺(tái)地址:華強(qiáng)廣場(chǎng)Q2C022/工廠地址:寶安華豐工業(yè)區(qū)A棟7樓

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