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IPB144N12N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB144N12N3G
廠商型號

IPB144N12N3G

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor

絲印標識

144N12N

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

365.38 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 23:01:00

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IPB144N12N3G規(guī)格書詳情

特性 Features

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 175 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB144N12N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    120V,56A,N Channel Power MOSFET

  • 功能描述:

    120V,56A,N-channel power MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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