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IPB09N03LA

絲印：09N03LA；Package：P-TO263-3-2；OptiMOS 2 Power-Transistor

Type:IPB09N03LAG Package:PG-TO263-3-2 Marking:09N03LA ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthe

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LA

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAG

OptiMOS?2 Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAG

OptiMOS 2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAT

OptiMOS 2Power-Transistor

Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel-Logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAG

OptiMOS?2 Power-Transistor;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB09N03LAT

OptiMOS?2 Power-Transistor; ? Ideal for high-frequency dc/dc converters\n? Qualified according to JEDEC1)for target applications\n? N-channel - Logic level\n? Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)\n? Very low on-resistance RDS(on)\n? Superior thermal resistance\n? 175 °C operating temperature\n? dv/dtrated\n? Pb-free lead plating; RoHS compliant;

InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IPB09N03LA

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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SOT-263
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原裝進(jìn)口假一罰十
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